স্টোরেজ ব্যাটারির অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধকে প্রভাবিত করে এমন কারণগুলি      

1. ব্যাটারির অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের মধ্যে ওমিক পোলারাইজেশন (কন্ডাক্টর রেজিস্ট্যান্স), ইলেক্ট্রোকেমিক্যাল পোলারাইজেশন এবং ঘনত্ব মেরুকরণ প্রতিরোধের সমন্বয় রয়েছে। চার্জিং এবং ডিসচার্জিং প্রক্রিয়া চলাকালীন, প্রতিরোধের পরিবর্তন হয়, এবং অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের বড় থেকে ছোট পরিবর্তিত হয়, বিপরীতে, অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের বৃদ্ধি হয়।

2. তাপমাত্রা ব্যাটারির অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের উপর একটি দুর্দান্ত প্রভাব ফেলে। যদি তাপমাত্রা 0 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের নীচে থাকে তবে প্রতিবার তাপমাত্রা 10 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেড কমে গেলে অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের প্রায় 15% বৃদ্ধি পাবে। একটি গুরুত্বপূর্ণ কারণ হ'ল নির্দিষ্ট প্রতিরোধের বৃদ্ধি পায় কারণ সালফিউরিক অ্যাসিড দ্রবণের সান্দ্রতা বড় হয়ে যায়। উচ্চতর তাপমাত্রায়, যেমন 10 ডিগ্রি সেন্টিগ্রেডের উপরে, যখন সালফেট আয়নের বিস্তারের হার বৃদ্ধি পায়, তখন ঘনত্বের মেরুকরণ প্রভাব উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পাবে এবং মেরুকরণ প্রতিরোধের হ্রাস পাবে, তবে তাপমাত্রা বৃদ্ধির সাথে কন্ডাক্টর প্রতিরোধের বৃদ্ধি পাবে, তবে বৃদ্ধির হার কম।

3. ব্যাটারির অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের স্রাব স্রোতের আকারের সাথে সম্পর্কিত। তাত্ক্ষণিক বৃহত কারেন্ট স্রাবের জন্য, ইলেক্ট্রোড প্লেট ফাঁকে সালফিউরিক অ্যাসিড দ্রবণটি দ্রুত পাতলা হয়ে যায় এবং ইলেক্ট্রোড প্লেট গর্তের বাইরে দ্রবণের 90% এরও বেশি সালফিউরিক অ্যাসিড অণুগুলি ইলেক্ট্রোড প্লেট ফাঁকে ছড়িয়ে পড়ার সময় পায় না। এইভাবে, প্লেট গর্তে দ্রবণের নির্দিষ্ট প্রতিরোধের বৃদ্ধি পায় এবং টার্মিনাল ভোল্টেজ উল্লেখযোগ্যভাবে হ্রাস পায়। যাইহোক, স্রাব বন্ধ হওয়ার পরে, প্লেট গর্তে দ্রবণের নির্দিষ্ট প্রতিরোধ হ্রাস পায় এবং টার্মিনাল ভোল্টেজ বৃদ্ধি পায় কারণ উচ্চ ঘনত্বের সাথে সালফিউরিক অ্যাসিড অণুগুলি প্লেট ফাঁকে ছড়িয়ে পড়ে।

4. উপরন্তু, পাতলা প্লেট ব্যাটারির অভ্যন্তরীণ প্রতিরোধের স্পষ্টতই পুরু প্লেট ব্যাটারির চেয়ে ছোট, কারণ একই ক্ষমতার ব্যাটারির পাতলা প্লেটের সংখ্যা পুরু প্লেট ব্যাটারির চেয়ে বেশি, তাই যখন একই স্রোত স্রাব করা হয়, পাতলা প্লেট ব্যাটারির বর্তমান ঘনত্ব ছোট হয় এবং প্রতিটি মেরুর মেরুকরণ অনেক ছোট হয়।

--শেষ--